CSD25303W1015 دیتاشیت

CSD25303W1015

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD25303W1015
حجم فایل 182.992 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت CSD25303W1015

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • FET Feature: -
  • FET Type: P-Channel
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Base Part Number: CSD2530
  • Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Part Status: Obsolete
  • Vgs (Max): ±8V
  • Series: NexFET™
  • Manufacturer: Texas Instruments
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • detail: P-Channel 20V 3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)

محصولات مشابه